Skip to content

Диалог от 07.04.2023

К содержанию раздела

Какой системный менеджер в Ubuntu

В Ubuntu по умолчанию используется менеджер процессов systemd, который отвечает за запуск и управление системными сервисами и приложениями. Другим популярным менеджером процессов в Ubuntu является Upstart. Однако, начиная с версии Ubuntu 15.04, Upstart был заменен на systemd.

Как называется сформированный столб монокристалла кремния?

Столб монокристалла кремния, сформированный в процессе технологии производства полупроводниковых приборов, называется булом. Булом является исходным материалом для создания кремниевых пластин, которые далее используются для производства различных полупроводниковых приборов, таких как микропроцессоры, транзисторы, диоды и другие.

Можете ли вы предложить другие ресурсы, где я могу найти информацию о производстве полупроводников?

Конечно, я могу предложить несколько ресурсов, где можно найти информацию о производстве полупроводников:

  1. IEEE Xplore Digital Library - это база данных, которая содержит множество научных статей и публикаций о технологиях производства полупроводниковых приборов, а также об их применении в различных областях.

  2. Semiconductor Industry Association - это ассоциация, которая представляет интересы производителей полупроводников и обеспечивает информацию о текущем состоянии индустрии.

  3. Semiconductor Manufacturing International Corporation - это крупнейший производитель полупроводников в Китае, который предоставляет информацию о технологиях производства полупроводниковых приборов.

  4. Applied Materials - это компания, которая производит оборудование для производства полупроводниковых приборов. На ее сайте можно найти информацию о технологиях и процессах производства полупроводников.

  5. SEMI - это глобальная организация, которая представляет интересы производителей оборудования и материалов для производства полупроводниковых приборов. Она также предоставляет информацию о текущем состоянии индустрии и технологических новинках.

Надеюсь, эти ресурсы помогут вам найти нужную информацию о производстве полупроводников.

А на русском языке есть?

Конечно, есть множество русскоязычных ресурсов, где можно найти информацию о производстве полупроводников. Некоторые из них:

  1. Журнал "Микроэлектроника" - это научно-технический журнал, который содержит статьи о технологиях, материалах и оборудовании для производства полупроводниковых приборов.

  2. Электроника и микроэлектроника - это портал, который содержит новости, статьи и обзоры о производстве полупроводниковых приборов и другой электроники.

  3. Российский научно-технический журнал "Наноэлектроника" - это журнал, который содержит статьи о технологиях и материалах для производства наноэлектроники, включая полупроводники.

  4. НТЦ "Микрон" - это российская компания, которая занимается производством полупроводниковых приборов. На ее сайте можно найти информацию о технологиях производства полупроводников и оборудовании.

  5. Блог "Электроника и микроэлектроника" - это блог, который содержит статьи о производстве полупроводниковых приборов, материалах и технологиях производства.

Надеюсь, эти ресурсы помогут вам найти нужную информацию о производстве полупроводников на русском языке.

Ты уверен, что этот термин по-русски называется не "буля"?

Да, вы правы, извините за путаницу. Термин "буля" на русском языке используется для обозначения монокристаллического материала, полученного методом Чохральского. На английском языке такой материал называется "boule". Приношу извинения за возможное недопонимание.

Что обозначают нанометры, которые указываются в техпроцессе?

Нанометр (нм) - это единица измерения длины, которая равна одной миллиардной части метра. В техпроцессе производства полупроводниковых приборов, таких как микропроцессоры и память, нанометры используются для измерения размеров структур, которые создаются на поверхности кристалла. Например, техпроцесс 7 нм означает, что на поверхности кристалла создаются структуры размером около 7 нм. Чем меньше размер структур, тем больше транзисторов и других элементов можно поместить на кристалл и тем выше может быть производительность прибора. Однако, с уменьшением размеров структур, возникают сложности в производстве, поэтому процессы с очень маленькими размерами требуют очень точной технологии и высокоточного оборудования.

Есть ли тут простор для маркетинговых уловок?

Производство полупроводниковых приборов - это сложный и технологический процесс, который требует высокого уровня квалификации и высокоточного оборудования. Технология производства таких приборов настолько сложна, что маркетинговые уловки могут оказаться непродуктивными и неэффективными. К тому же, в данной отрасли существует жесткая конкуренция, и качество продукции и технологические достижения являются главными факторами успеха на рынке. Поэтому в этой сфере уделяется большое внимание развитию и совершенствованию технологий, а маркетинговые уловки играют второстепенную роль.

Какова самая минимальная толщина перехода сток-исток теоретически может быть согласно законам физики?

Согласно фундаментальным законам физики, минимальная толщина перехода сток-исток в транзисторе не может быть равна нулю из-за эффекта туннелирования. Это означает, что электроны могут проникать через потенциальный барьер, даже если его высота выше энергии электрона. Таким образом, тонкий барьер никогда не будет полностью блокировать поток электронов, что может привести к утечке тока и другим проблемам.

Однако, в настоящее время в производстве полупроводниковых приборов используются технологии, которые позволяют создавать транзисторы с очень тонкими переходами, порядка 5-10 нм. Для достижения таких размеров используются высокоточные методы литографии и тонкопленочного нанесения материалов, а также специальные дизайны транзисторов, которые минимизируют эффекты туннелирования и другие проблемы.

То есть меньше 5 нанометров транзистор точно не сделаешь?

На данный момент, технологии производства полупроводниковых приборов позволяют создавать транзисторы с переходом сток-исток толщиной порядка 2-3 нм. Однако, создание транзисторов с толщиной перехода меньше 2 нм представляет существенные технологические и физические вызовы.

Один из главных вызовов заключается в том, что при уменьшении размеров структур до критических значений, возникают эффекты, которые могут негативно повлиять на электрические свойства транзистора, например, на утечку тока, изменение работы гейтов и другие. Кроме того, при создании таких структур возникают проблемы с точностью литографических методов, а также с качеством материалов и их равномерностью.

Таким образом, на данный момент транзисторы с толщиной перехода меньше 2 нм не являются практически достижимыми. Однако, исследования в этой области продолжаются, и возможно, в будущем будут найдены новые способы уменьшения размеров структур, которые позволят создавать транзисторы с еще более тонкими переходами.

Процессоры с каким минимальным техпроцессом есть в продаже?

На данный момент, на рынке существуют процессоры с технологическим процессом 5 нм, такие как Apple M1 или Qualcomm Snapdragon 888. Кроме того, компания Intel выпустила процессоры с технологическим процессом 10 нм, а компания AMD - с технологическим процессом 7 нм.

Однако, стоит отметить, что технологические процессы являются сложными и требуют значительных инвестиций в исследования и разработку. Поэтому, несмотря на то, что на рынке уже есть процессоры с технологическим процессом 5 нм, их стоимость может быть значительно выше, чем у процессоров с более старыми технологическими процессами. Кроме того, процессы с более тонкими технологическими процессами могут иметь свои специфические проблемы, например, более высокую утечку тока, что может повлиять на энергопотребление и тепловыделение процессоров.

Какой TDP у Apple M1

Официальная информация от Apple указывает, что TDP (термический дизайн процессора) для Apple M1 составляет 10 Вт при базовой частоте 3,2 ГГц.

Однако, стоит отметить, что TDP - это не максимальная мощность процессора, а лишь значение, которое позволяет производителю описать ожидаемую тепловую мощность процессора при стандартной нагрузке. Фактическая мощность процессора может изменяться в зависимости от конфигурации системы, нагрузки на процессор и других факторов.

А давай так: построй таблицу в которой будут перечислены поколения Intel Core, их техпроцесс и TDP.

Конечно, вот таблица с перечислением основных поколений процессоров Intel Core, их техпроцессов и TDP:

Поколение процессоров Техпроцесс TDP
Intel Core (1-е) 65 нм 35-130 Вт
Intel Core (2-е) 45 нм 35-130 Вт
Intel Core (3-е) 22 нм 35-77 Вт
Intel Core (4-е) 22 нм 35-84 Вт
Intel Core (5-е) 14 нм 35-91 Вт
Intel Core (6-е) 14 нм 35-91 Вт
Intel Core (7-е) 14 нм 35-91 Вт
Intel Core (8-е) 14 нм 35-95 Вт
Intel Core (9-е) 14 нм 35-95 Вт
Intel Core (10-е) 14 нм 35-125 Вт
Intel Core (11-е) 10 нм 35-125 Вт

Стандартные значения TDP для каждого поколения могут варьироваться в зависимости от конкретной модели процессора и его конфигурации. В таблице указаны значения TDP для наиболее распространенных процессоров каждого поколения.

Почему такой большой разброс у 10 и 11 поколения по TDP?

Разброс TDP для процессоров 10-го и 11-го поколений связан с различными факторами, такими как:

  1. Количество ядер: Процессоры с большим количеством ядер, как правило, имеют более высокий TDP, поскольку требуют большего количества энергии для поддержания высокой производительности.

  2. Базовая частота: Процессоры с более высокой базовой частотой, как правило, имеют более высокий TDP, поскольку требуют большего количества энергии для поддержания высокой частоты.

  3. Архитектура: Новые архитектуры процессоров могут использовать более эффективные технологии для управления энергопотреблением, что может привести к снижению TDP.

  4. Технологический процесс: Процессоры на более тонком технологическом процессе могут потреблять меньше энергии и иметь более низкий TDP, но в то же время они могут быть более трудными в производстве и дороже в производстве.

В целом, разброс TDP связан с компромиссом между производительностью и энергопотреблением, и зависит от конкретных требований каждой модели процессора.

А давай так: построй таблицу в которой будут перечислены поколения Intel Core с названиями, их техпроцесс и TDP для i3, i5, i7 и i9, если есть.

Конечно, вот таблица с перечислением основных поколений процессоров Intel Core i3, i5, i7 и i9, их техпроцессов и TDP:

Поколение процессоров Техпроцесс TDP i3 TDP i5 TDP i7 TDP i9
Intel Core (1-е) 65 нм 35 Вт 65 Вт 130 Вт -
Intel Core (2-е) 45 нм 35 Вт 73 Вт 130 Вт -
Intel Core (3-е) 22 нм 35 Вт 77 Вт 77 Вт -
Intel Core (4-е) 22 нм 35 Вт 84 Вт 84 Вт -
Intel Core (5-е) 14 нм 35 Вт 65 Вт 65 Вт -
Intel Core (6-е) 14 нм 35 Вт 65 Вт 91 Вт 140 Вт
Intel Core (7-е) 14 нм 35 Вт 65 Вт 91 Вт 140 Вт
Intel Core (8-е) 14 нм 35 Вт 65 Вт 95 Вт 165 Вт
Intel Core (9-е) 14 нм 35 Вт 65 Вт 95 Вт 165 Вт
Intel Core (10-е) 14 нм 35 Вт 65 Вт 65 Вт 125 Вт
Intel Core (11-е) 10 нм 35 Вт 65 Вт 65 Вт 125 Вт

Обратите внимание, что TDP для каждого процессора может быть разным в зависимости от конкретной модели и конфигурации системы. Эти значения являются приблизительными и могут изменяться в зависимости от конкретных условий использования.